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首页 - 产品中心 - 金属氧化场效应管 - 12-300V N MOSFET
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DO3400B

DO3400B结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS(ON),具有低内阻、稳定性高、性能优越等特点。适用于负载开关、无线充或PWM应用等,可直接替代通用型号3400。

产品筛选 - N-Channel SGT-II MOSFET
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